|
|
|
|
|
|
|
SI1905DL Q8 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-8V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
-8V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-570mA/-0.57A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance |
1.2?@ VGS = -1.8V, ID = -200mA |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-0.45V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
270mW/0.27W |
| Description & Applications |
Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET |
| 描述与应用 |
双P沟道1.8-V（G-S）的MOSFET |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
|
|
|
|
|
相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| SI1900DL-T1-E3 |
PBS |
VISHAY |
06+PB |
SOT-363/SC70-6 |
0 |
场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET 双N沟道MOSFET Dual N-Channel |
查看 |
| SI1902DL-T1-E3 |
PAB |
VISHAY |
06+ROHS |
SOT-363/SC70-6 |
3000 |
场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET 双N沟道MOSFET Dual N-Channel |
查看 |
| SI1905DL |
Q8 |
VISHAY |
05+ |
SOT-363/SC70-6 |
52805 |
场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET 双P沟道MOSFET Dual P-Channel |
查看 |
| SI1905DL |
Q8 |
VISHAY |
05+ |
SOT-363/SC70-6 |
0 |
场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET 双P沟道MOSFET Dual P-Channel |
查看 |
| SI1900DL-T1-E3 |
PBS |
VISHAY |
06NOPB |
SOT-363/SC70-6 |
0 |
场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET 双N沟道MOSFET Dual N-Channel |
查看 |
| SI1905BDH-T1-E3 |
DJX/DJW |
VISHAY |
10NOPB |
SOT-363/SC70-6 |
147000 |
场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET 双P沟道MOSFET Dual P-Channel |
查看 |
| SI1905BDH-T1-E3 |
DJX |
VISHAY |
10+ROHS |
SOT-363/SC70-6 |
0 |
场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET 双P沟道MOSFET Dual P-Channel |
查看 |
|
|
|
