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SI2301DS R1 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
8V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-2.3A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
0.105Ω @-2.8A,-4.5V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-0.45V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
1.25W |
| Description & Applications |
P-Channel 1.25-W, 2.5-V MOSFET |
| 描述与应用 |
P沟道1.25-W，2.5-V MOSFET |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| SI2301BDS |
L1 |
VISHAY |
05+NOPB7976 |
SOT-23/SC-59 |
16084 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| SI2301BDS |
L1 |
VISHAY |
05+3KROHS |
SOT-23/SC-59 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| SI2301DS |
R1 |
VISHAY |
05+ |
SOT-23/SC-59 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| SI2301DS |
A1 |
VISHAY |
05+ |
SOT-23/SC-59 |
2000 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| SI2301DS |
R1 |
VISHAY |
05+ |
SOT-23/SC-59 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| SI2301ADS |
1A |
VISHAY |
05+ |
SOT-23/SC-59 |
50 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| SI2301ADS |
1A |
VISHAY |
06nopb |
SOT-23/SC-59 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| SI2301DS |
A1 |
VISHAY |
05+ |
SOT-23/SC-59 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
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