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SI2303BDS L3/A3 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-1.4A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
0.150Ω @-1.7A,-10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-1--3.0V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
750mW/0.75W |
| Description & Applications |
P-Channel, 30-V (D-S) MOSFET |
| 描述与应用 |
P沟道30-V（D-S）的MOSFET |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| SI2303ADS |
3A |
VISHAY |
03+ |
SOT-23/SC-59 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| SI2303BDS |
L3/A3 |
VISHAY |
05+NOPB600 |
SOT-23/SC-59 |
640 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| SI2303BDS |
L3 |
VISHAY |
06+rohs |
SOT-23/SC-59 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| SI2303DS |
A3 |
VISHAY |
05+ |
SOT-23/SC-59 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| SI2303DS |
A3 |
VISHAY |
05+ |
SOT-23/SC-59 |
17940 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| SI2303DS |
R3 |
VISHAY |
05+ |
SOT-23/SC-59 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| SI2303CDS |
N3 |
VISHAY |
09NOPB |
SOT-23/SC-59 |
1750 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| SI2303CDS |
N3 |
VISHAY |
10NOPB |
SOT-23/SC-59 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
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