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SI2305DS R5 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-8V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
8V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-3.5A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
0.044Ω @-3.5A,-4.5V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-0.45V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
1.25W |
| Description & Applications |
P-Channel 1.25-W, 1.8-V (G-S) MOSFET |
| 描述与应用 |
P沟道1.25-W，1.8 V（G-S）的MOSFET |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| SI2305DS |
A5PHB |
VISHAY |
05+ |
SOT-23/SC-59 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| SI2305DS |
R5 |
VISHAY |
05+ |
SOT-23/SC-59 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| SI2305DS |
A5 |
VISHAY |
05+NOPB205 |
SOT-23/SC-59 |
5397 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| SI2305ADS-T1-GE3 |
5AA |
VISHAY |
10+NOPB |
SOT-23/SC-59 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| SI2305ADS-T1-GE3 |
5AA |
VISHAY |
10+rohs |
SOT-23/SC-59 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
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