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SI2312BDS-T1-GE3 M2 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
3.5A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
0.057Ω/Ohm @3.5A,10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
1V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
1.25W |
| Description & Applications |
TrenchFET Power MOSFET 100% Rg Tested |
| 描述与应用 |
功率MOSFET 100％的Rg测试 |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| SI2312BDS-T1-GE3 |
M2 |
VISHAY |
06+NOPB |
SOT-23/SC-59 |
800 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
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