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SI2312BDS-T1-GE3
 型号：  SI2312BDS-T1-GE3
 标记/丝印/代码/打字：  M2
 厂家：  VISHAY
 封装：  SOT-23/SC-59
 批号：  06+NOPB
 库存数量：  800
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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SI2312BDS-T1-GE3 M2 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 3.5A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.057Ω/Ohm @3.5A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 1V
耗散功率Pd Power Dissipation 1.25W
Description & Applications TrenchFET Power MOSFET 100% Rg Tested
描述与应用 功率MOSFET 100％的Rg测试
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型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
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