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SI3552DV
 型号：  SI3552DV
 标记/丝印/代码/打字：  52
 厂家：  VISHAY
 封装：  SOT-163/SOT23-6/TSOP-6
 批号：  05+
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  复合场效应管Complex FET
    MOSFET N沟道+P沟道MOSFET N-Channel and P-Channel
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SI3552DV 52 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 30V/-30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V/20V
最大漏极电流Id Drain Current 2.5A/-1.8A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 175m?@ VGS =4.5V, ID =2A/360m?@ VGS =-4.5V, ID =-1.2A
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 1V/-1V
耗散功率Pd Power Dissipation 1.15W
Description & Applications N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
描述与应用 N沟道和P-通道 30-V（D-S）的MOSFET
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