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SI3905DV 052AE 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-8V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
-8V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-2.5A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance |
265m?@ VGS = -1.8V, ID = -1A |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-0.45V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
1.15W |
| Description & Applications |
Dual P-Channel 8-V (D-S) MOSFET |
| 描述与应用 |
双P沟道 8-V（D-S）的MOSFET |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| SI3900DV |
OOL |
VISHAY |
05+NOPB |
SOT-163/SOT23-6/TSOP-6 |
150 |
场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET 双N沟道MOSFET Dual N-Channel |
查看 |
| SI3905DV |
052AE |
VISHAY |
05+ |
SOT-163/SOT23-6/TSOP-6 |
0 |
场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET 双P沟道MOSFET Dual P-Channel |
查看 |
| SI3905DV-T1 |
5 |
VISHAY |
05+ |
SOT-163/SOT23-6/TSOP-6 |
3800 |
场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET 双P沟道MOSFET Dual P-Channel |
查看 |
| SI3911DV-T3-E3 |
11 |
VISHAY |
06+NOPB370KM |
SOT-163/SOT23-6/TSOP-6 |
376000 |
场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET 双P沟道MOSFET Dual P-Channel |
查看 |
| SI3948DV |
48 |
VISHAY |
05+ |
SOT-163/SOT23-6/TSOP-6 |
0 |
场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET 双N沟道MOSFET Dual N-Channel |
查看 |
| SI3911DV-T3-E3 |
11 |
VISHAY |
06+10Knopb |
SOT-163/SOT23-6/TSOP-6 |
0 |
场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET 双P沟道MOSFET Dual P-Channel |
查看 |
| SI3948DV |
48 |
VISHAY |
05+ |
SOT-163/SOT23-6/TSOP-6 |
0 |
场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET 双N沟道MOSFET Dual N-Channel |
查看 |
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