SI4435ADY 4435 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-8A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
15m?@ VGS = -10V, ID = -8A |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-1V~-3V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
2.5W |
| Description & Applications |
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| 描述与应用 |
P沟道30-V（D-S）的MOSFET |
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