SSC2412Y DAY 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
50V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
50V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
150mA/0.15A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
180MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
70~700 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
400mV/0.4V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
200mW/0.2W |
| Description & Applications |
Features ?NPN Silicon Transistor ?Low collector saturation voltage VCE(sat)= Max. 0.4V ?Low output capacitance Cob= Typ. 2pF ?Complementary to the SSA1037 Descriptions ?General small signal amplifier |
| 描述与应用 |
特点 ?NPN硅晶体管 ?低集电极饱和电压 VCE（sat）=最大。 0.4V ?低输出电容?COB=典型2PF ?互补的SSA1037 ?简述 ?一般的小信号放大器 |
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