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SSM6E01TU
 型号：  SSM6E01TU
 标记/丝印/代码/打字：  KTA
 厂家：  TOSHIBA
 封装：  SOT-363/SC70-6/UF6
 批号：  11+ROHS
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  复合场效应管Complex FET
    MOSFET N沟道+P沟道MOSFET N-Channel and P-Channel
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SSM6E01TU KTA 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -12V/20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 12V/10V
最大漏极电流Id Drain Current -10A/50mA
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 240m?@ VGS = -2.5V, ID = -500mA /1?@ VGS = 2.5V, ID = 10mA
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -0.4~-1.1V/0.7~1.3V
耗散功率Pd Power Dissipation 500mW/0.5W
Description & Applications TOSHIBA Multi-Chip Device Silicon P-Channel MOS Type (U-MOS II) + N-Channel MOS Type (Planer) Load Switch Applications P-channel MOSFET and N-channel MOSFET incorporated into one package. Low power dissipation due to P-channel MOSFET that features low RDS (ON) and low-voltage operation
描述与应用 TOSHIBA多芯片设备 硅P沟道MOS类型（U-MOS II）+ N沟道MOS类型（平面） 负载开关应用中 P沟道MOSFET和N沟道MOSFET的纳入一包装。 低功耗由于P沟道MOSFET，具有低RDS（ON）和低电压操作
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