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SSM6N03FE
 型号：  SSM6N03FE
 标记/丝印/代码/打字：  DA
 厂家：  TOSHIBA
 封装：  SOT-563/ES6
 批号：  05+
 库存数量：  100
 所属分类：  场效应管FET
  复合场效应管Complex FET
    MOSFET 双N沟道MOSFET Dual N-Channel
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SSM6N03FE DA 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 10V
最大漏极电流Id Drain Current 100mA/0.1A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 1200m?@ VGS = 2.5V, ID = 10mA
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.7~1.3V
耗散功率Pd Power Dissipation 150mW/0.15W
Description & Applications TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type High Speed Switching Applications Analog Switch Applications ● Input impedance is high. Driving current is extremely low. ● Can be directly driven by a CMOS device even at low voltage due to low gate threshold voltage. ● High-speed switching. ● Housed in a ultra-small package which is suitable for high density mounting.
描述与应用 东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS类型 高速开关应用 模拟开关应用 ●输入阻抗高。驱动电流极低。 ●可直接驱动CMOS器件即使在低电压低栅极阈值电压。 ●高速开关。 ●坐落在一个超小型封装，适用于高密度 安装。
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