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SSM6N15FU
 型号：  SSM6N15FU
 标记/丝印/代码/打字：  DP
 厂家：  TOSHIBA
 封装：  SOT-363/SC70-6/UF6
 批号：  06+ROHS
 库存数量：  9000
 所属分类：  场效应管FET
  复合场效应管Complex FET
    MOSFET 双N沟道MOSFET Dual N-Channel
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SSM6N15FU DP 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 100mA/0.1A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 4?@ VGS = 4V, ID = 10mA
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.8~1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 200mW/0.2W
Description & Applications TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ●High Speed Switching Applications ●Analog Switching Applications ● Small package ● Low ON resistance : Ron = 4.0 Ω (max) (@VGS = 4 V) : Ron = 7.0 Ω (max) (@VGS = 2.5 V)
描述与应用 东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS类型 ●高速开关应用 ●模拟开关应用 ●小型封装 ●低导通电阻RON =4.0Ω（最大）（@ VGS=4 V） RON =7.0Ω（最大值）（@ VGS= 2.5 V）
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