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SST111
 型号：  SST111
 标记/丝印/代码/打字：  MN11
 厂家：  VISHAY
 封装：  SOT-23/SC-59
 批号：  05+
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  结型（JFET）-N沟道JFET N-Channel
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SST111 MN11 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 35v
栅源极击穿电压V(BR)GS Gate-Source Voltage -35v
漏极电流(Vgs=0V)IDSS Drain Current 20ma
关断电压Vgs(off) Gate-Source Cut-off Voltage -3~-10v
耗散功率Pd Power Dissipation 350mW/0.35W
Description & Applications ?N–Channel JFETs ?Low On-Resistance: J108 <8 ?Fast Switching—tON: 4 ns ?Low Leakage: 20 pA ?Low Capacitance: 11 pF ?Low Insertion Loss
描述与应用 ?N沟道JFETs ?低导通电阻：J108<8 ?快速开关吨：4纳秒 ?低漏电流：20 pA的 ?低电容：11 pF的 ?低插入损耗
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