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ST194
 型号：  ST194
 标记/丝印/代码/打字：  MR
 厂家：  SIEMENS
 封装：  SOT-143
 批号：  05+
 库存数量：  1060
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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ST194 MR 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 13V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage
最大漏极电流Id Drain Current 30mA
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 8-14V
耗散功率Pd Power Dissipation 200mW/0.2W
Description & Applications Silicon N_Channel MOSFET Tetrode ? Short-channel transistor with high S / C quality factor ? For low-noise, gain-controlled input stage up to 1 GHz ? Pb-free (RoHS compliant) package1) ? Qualified according AEC Q101
描述与应用 硅N_Channel MOSFET四极管 ?短沟道晶体管 与高S/ C质量的因素 ?对于低噪声，增益控制 输入级到1 GHz ?无铅（符合RoHS）包1） ?符合AEC Q101
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