STB1188-Y B1 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-40V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
?32V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-2A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
150MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
160~320 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
?800mV/-0.8V |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
500mW/0.5W |
| Description & Applications |
PNP Silicon Transistor Description ? Medium power amplifier Features ? PC(Collector dissipation)=2W ? Low collector saturation voltage ? Complementary pair with STD1766 |
| 描述与应用 |
PNP硅晶体管 描述 ?中等功率放大器 特点 ?PC（集电极耗散）= 2W ?低集电极饱和电压 ?互补配对STD1766 |
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