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STB36NF03LT4
 型号：  STB36NF03LT4
 标记/丝印/代码/打字：  B36NF03L
 厂家：  ST
 封装：  TO-263
 批号：  05+
 库存数量：  4000
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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STB36NF03LT4 B36NF03L 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 3.6A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.020Ω/Ohm @1.6A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 75W
Description & Applications TYPICAL RDS(on) = 0.015 ? TYPICAL Qg = 18 nC @ 10V OPTIMAL RDS(on) x Qg TRADE-OFF CONDUCTION LOSSES REDUCED SWITCHING LOSSES REDUCED
描述与应用 典型的RDS（on）= 0.015Ω 典型的Qg=18 NC@ 10V 最优的RDS（on）×QG权衡 减少传导损耗 减少开关损耗
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