STD123S 123 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
20V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
15V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
1A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
260MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
150 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
100mV/0.1V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
350mW/0.35W |
| Description & Applications |
Features ? NPN Silicon Transistor ? Low saturation medium current application ? Extremely low collector saturation voltage ? Suitable for low voltage large current drivers ? High DC current gain and large current capability ? Low on resistance : RON=0.6?(Max.) (IB=1mA) |
| 描述与应用 |
特点 ?NPN硅晶体管 ?低饱和中等电流应用 ?极低的集电极饱和电压 ?适用于低电压大电流驱动器 ?高直流电流增益和大电流容量 ?低导通电阻RON=0.6Ω（最大）（IB=1MA） |
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