|
|
|
|
|
|
|
STS2307 S07 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
12V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-3A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
0.07Ω @-4A,-4.5V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-0.5--1.5V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
1.25W |
| Description & Applications |
F E ATUR E S S uper high dense cell design for low R DS (ON). R ugged and reliable. S OT-23 package. |
| 描述与应用 |
F E ATUR E S ?UPER高密度电池设计低R DS ?ugged可靠。 S OT-23封装 |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
|
|
|
|
|
相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| STS-05A |
|
HCH |
05+ |
SOT |
0 |
连接器 |
查看 |
| STS-05A |
|
HCH |
05+ |
开关 |
2000 |
连接器 |
查看 |
| STS-09 |
|
HCH |
05+ |
开关 |
1356 |
连接器 |
查看 |
| STS101B |
|
NIIGATA |
00+ |
0805-101 |
3500 |
晶振滤波Crystal Oscillator and Filter-其它Other |
查看 |
| STS2307 |
S07 |
SAMHOP |
05+NOPB |
SOT-23/SC-59 |
2750 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| STS332A |
|
NIIGATA |
05+ |
805 |
5600 |
晶振滤波Crystal Oscillator and Filter-其它Other |
查看 |
| STS332B |
|
NIIGATA |
02+ |
0805(NFM） |
4000 |
晶振滤波Crystal Oscillator and Filter-其它Other |
查看 |
| STS470 |
|
JAT |
05+ |
O805 |
3000 |
晶振滤波Crystal Oscillator and Filter-其它Other |
查看 |
| STSR2PCD-TR |
STSR2P |
ST |
06+ |
SO8 |
50 |
集成电路ICIntegrated Circuit（IC）-其它Other |
查看 |
| STS223B |
|
NIIGATA |
06+ |
0805 |
3300 |
晶振滤波Crystal Oscillator and Filter-其它Other |
查看 |
| STS3401 |
T01 |
SAMHOP |
05+ |
SOT-23/SC-59 |
400 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
|
|
|
