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TN0205A BD 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
8V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
250mA/0.25A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
1.2Ω/Ohm @250mA,4.5V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
0.4-1.5V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
150mW/0.15W |
| Description & Applications |
Low On-Resistance: 2.0 ? Low Threshold: 0.9 V (typ) Fast Switching Speed: 35 ns 2.5-V or Lower Operation |
| 描述与应用 |
低导通电阻：2.0Ω 低门槛：0.9 V（典型值） 开关速度快：35纳秒 2.5 V或更低的操作 |
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在线阅读  |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| TN0205A |
BA |
VISHAY |
05+ |
SOT-323 |
3350 |
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查看 |
| TN0205A |
BD |
VISHAY |
05+ |
SOT-23/SC-59 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| TN0205A |
BH |
VISHAY |
05+ |
SOT-23/SC-59 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| TN0205A |
BA |
VISHAY |
05+ |
SOT-23/SC-59 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| TN0205AD |
D |
VISHAY |
05+ |
SOT-363/SC70-6 |
7500 |
场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET 双N沟道MOSFET Dual N-Channel |
查看 |
| TN0205A |
BA/BD/BH |
VISHAY |
05+ |
SOT-23/SC-59 |
69000 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| TN0205AD-T1 |
D |
VISHAY |
05+ |
SOT-363/SC70-6 |
0 |
场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET 双N沟道MOSFET Dual N-Channel |
查看 |
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