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TP0610T-T1
 型号：  TP0610T-T1
 标记/丝印/代码/打字：  TO
 厂家：  VISHAY
 封装：  SOT-23/SC-59
 批号：  05+
 库存数量：  1800
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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TP0610T-T1 TO 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 30V
最大漏极电流Id Drain Current -180mA/-0.18A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 10Ω @-500mA,-10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -1.9--2.4V
耗散功率Pd Power Dissipation 800mW/0.8W
Description & Applications High-Side Switching Low On-Resistance: 8 Low Threshold: ?1.9 V Fast Switching Speed: 16 ns Low Input Capacitance: 15 Pf
描述与应用 高边开关 低导通电阻：8？ 低阈值：-1.9 V 开关速度快：16纳秒 低输入电容：15 pF的
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