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TPCF8201
 型号：  TPCF8201
 标记/丝印/代码/打字：  F4A
 厂家：  TOSHIBA
 封装：  1206-8/vs-8
 批号：  12+ROHS
 库存数量：  15800
 所属分类：  场效应管FET
  复合场效应管Complex FET
    MOSFET 双N沟道MOSFET Dual N-Channel
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TPCF8201 F4A 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 12V
最大漏极电流Id Drain Current 3A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 49m?@ VGS = 4.5V, ID = 1500mA
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.5~1.2V
耗散功率Pd Power Dissipation 530mW/0.53W
Description & Applications TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS III) Notebook PC Applications Portable Equipment Applications ? Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 38 mΩ (typ.) ? High forward transfer admittance: |Yfs| = 5.4 S (typ.) ? Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 20 V) ? Enhancement-mode: Vth = 0.5 to 1.2 V (VDS = 10 V, ID = 200 μA)
描述与应用 东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS型（U-MOS III） 笔记本电脑应用 便携式设备的应用 ?低漏源导通电阻RDS（ON）=38mΩ（典型值） ?高正向转移导纳：| YFS|= 5.4 S（典型值） ?低漏电流IDSS= 10μA（最大）（VDS=20 V） ?增强模式：Vth =0.5?1.2 V （VDS=10V，ID=200μA）
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