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TPCT4202
 型号：  TPCT4202
 标记/丝印/代码/打字：  
 厂家：  TOSHIBA
 封装：  FR-4
 批号：  0534NOPB
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  复合场效应管Complex FET
    MOSFET 双N沟道MOSFET Dual N-Channel
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TPCT4202  的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 12V
最大漏极电流Id Drain Current 6A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 38m?@ VGS = 4.5V, ID = 3000mA
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.5~1.2V
耗散功率Pd Power Dissipation 510mW/0.51W
Description & Applications Lithium lon Battery applications Lead(Pb)-Free small footprint due to small and thin package low drain source ON resistance :Rss(ON)=30.5mΩ(typ.) Low leakage current :Isss=10uA(max)(Vds=30V) Enhancement mode:Vth=0.5~12V(Vss=10V,Is=200uA) Common drain
描述与应用 锂离子电池应用 铅（以Pb计）免费 由于占地面积小，小而薄的包装 低漏源导通电阻：RSS（ON）=30.5mΩ（典型值） 低漏电流：ISSS=10uA的（最大）（VDS =30V） 增强模式：VTH =0.5?12V（VSS= 10V，=200uA电流） 常见的漏
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