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UMF6N
 型号：  UMF6N
 标记/丝印/代码/打字：  F6
 厂家：  ROHM
 封装：  SOT-363/UMT6/SC-88
 批号：  04NOPB1RM
 库存数量：  30950
 所属分类：  场效应管FET
  复合场效应管Complex FET
    FET+BJT
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UMF6N F6 的参数
FET类型 Type MOSFET N-Channel
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 100mA/0.1A
源漏极导通电阻Rds(on) Drain-Source On-State Resistance 8000m?@ VGS = 4V, ID = 10mA
跨导 Forward Transfer Admittance 20ms@VDS=3V，Id=10mA
IDSS(Vgs=0V)
开启电压Vgs（th）/关断电压Vgs（off） Gate-Source Threshold/Cut-off Voltage 0.8~1.5V
BJT 类型 Type PNP
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) -15V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) -12V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) -500mA/-0.5A
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 260MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 270~680
耗散功率Pd Power Dissipation 150mW/0.15W
Description & Applications Power management (dual transistors) 2SA2018 and 2SK3019 are housed independently in a UMT package. Application Power management circuit Features 1) Power switching circuit in a single package. 2) Mounting cost and area can be cut in half. Structure Silicon epitaxial planar transistor
描述与应用 电源管理（双晶体管） 2SA2018和2SK3019被安置独立在UMT包。 应用 电源管理电路 ? 特点 1）电源开关电路在单个封装中。 2）安装成本和面积可减少一半。 ? 结构 硅外延平面晶体管
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