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UPA1952TE
 型号：  UPA1952TE
 标记/丝印/代码/打字：  TP
 厂家：  NEC
 封装：  SOT-163/SOT23-6
 批号：  06+ROHS6KM
 库存数量：  249990
 所属分类：  场效应管FET
  复合场效应管Complex FET
    MOSFET 双P沟道MOSFET Dual P-Channel
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UPA1952TE TP 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 8V
最大漏极电流Id Drain Current 2A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 135m?@ VGS = -4.5V, ID = -1000mA
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -0.45~-1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 570mW/0.57W
Description & Applications P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING DESCRIPTION The μPA1952 is a switching device which can be driven directly by a 1.8 V power source. This device features a low on-state resistance and excellent switching characteristics, and is suitable for applications such as power switch of portable machine and so on. FEATURES ? 1.8 V drive available ? Low on-state resistance RDS(on)1 = 135 mΩ MAX. (VGS = ?4.5V, ID = ?1.0 A) RDS(on)2 = 183 mΩ MAX. (VGS = ?2.5 V, ID = ?1.0 A) RDS(on)3 = 284 mΩ MAX. (VGS = ?1.8 V, ID = ?0.5 A)
描述与应用 P沟道MOS场效应晶体管说明 的的μPA1952是可驱动的开关装置 直接由1.8 V电源。 该器件具有低通态电阻和优良的 的开关特性，以及适合的应用，如 便携机的电源开关等。 特点 ?1.8 V可驱动 ?低通态电阻 RDS（on）1 =135mΩ最大。 （VGS=4.5V，ID= -1.0） RDS（on）= 183mΩ最大。 （VGS= -2.5 V，ID=-1.0 A） RDS（on）=284mΩ最大。 （VGS=-1.8 V，ID=-0.5 ）
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