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UPA602T
 型号：  UPA602T
 标记/丝印/代码/打字：  IA
 厂家：  NEC
 封装：  SOT-163/SOT23-6
 批号：  05+
 库存数量：  1800
 所属分类：  场效应管FET
  复合场效应管Complex FET
    MOSFET 双N沟道MOSFET Dual N-Channel
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UPA602T IA 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 50V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 100mA/0.1A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 2500m?@ VGS = 10V, ID = 10mA
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.8~1.8V
耗散功率Pd Power Dissipation 300mW/0.3W
Description & Applications N-CHANNEL MOS FET (6-PIN 2 CIRCUITS) The uPA602T is a mini-mold device provided with two MOS FET circuits. It achieves high-density mounting and saves mounting costs. FEATURES ? Two MOS FET circuits in package the same size as SC-59 ? Complement to uPA603T ? Automatic mounting supported
描述与应用 N沟道MOS FET（6-PIN2电路） 的uPA602T是一个小型的模具装置，设置有两个 MOS FET电路。它实现了高密度安装， 节省了安装成本。 特点 ?两个MOS FET的电路包的大小相同 SC-59 ?补充uPA603T的 ?支持自动安装
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