UPA801T R24 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
20V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
12V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
100mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
4500MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
120 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
|
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
200mW |
| Description & Applications |
Features ? NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR ? SMALL PACKAGE STYLE:2 NE856 Die in a 2 mm x 1.25 mm package ? LOW NOISE FIGURE:NF = 1.2 dB TYP at 1 GHz ? HIGH GAIN:|S21E|2 = 9.0 dB TYP at 1 GHz ? HIGH COLLECTOR CURRENT: 100mA |
| 描述与应用 |
特点 ?NPN硅高频三极管 ?小包装风格：2 NE856模具在2毫米×1.25毫米封装 ?低噪声系数：NF= 1.2 dB（典型值）在1 GHz ?高增益：S21E|2= 9.0 dB（典型值）在1 GHz ?高集电极电流：100mA |
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