UPA804T T76 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
20V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
12V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
60mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
5000MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
60~200 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
500mV |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
160mW |
| Description & Applications |
Features ? SILICON TRANSISTOR ? High fT fT = 5.0 GHz TYP. (@VCE = 5 V, IC = 5 mA, f = 1 GHz) ? Small Collector Capacitance Cob = 0.9 pF TYP. (@VCB = 5 V, IE = 0, f = 1 MHz) ? A Surface Mounting Package Adopted ? Built-in 2 Transistors (2 × 2SC4571) ? NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS) MINI MOLD |
| 描述与应用 |
特点 ?硅晶体管 ?高FT FT=5.0 GHz的TYP。 （@ VCE= 5 V，IC =5毫安，F =1千兆赫） ?集电极小电容 科夫=0.9 pF的TYP。 （VCB=5 V，IE=0时，F =1兆赫） ?一个采用表面贴装封装， ?内置2晶体管（2×2SC4571） ?NPN硅外延晶体管（带内置2个元素）MINI模具 |
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