UPA807T T84 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
5V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
3V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
10mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
12000MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
70~140 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
|
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
60mW |
| Description & Applications |
Features ? SILICON TRANSISTOR ? Low Current, High Gain |S21e|2= 9 dB TYP. @VCE = 2 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz |S21e|2 = 8.5 dB TYP. @VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz ? A Super Mini Mold Package Adopted ? Built-in 2 Transistors (2 × 2SC5179) ?MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS) SUPER MINI MOLD |
| 描述与应用 |
特点 ?硅晶体管 ?低电流，高增益| S21E|2 =9 dB典型值。 @ VCE= 2 V，IC =7毫安，F =2吉赫 S21E|2=8.5 dB典型值。 @ VCE= 1 V，IC= 5毫安，F =2吉赫 ?超级迷你模具包装通过 ?内置2晶体管（2×2SC5179） ?微波低噪声放大器 NPN硅外延晶体管（带内置2个元素）超级迷你模具 |
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