UPA809T T88 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
9V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
6V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
100mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
9000MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
80~160 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
|
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
200mW |
| Description & Applications |
Features ? SILICON TRANSISTOR ? Low Voltage Operation, Low Phase Distortion (Unit: mm) ? Low Noise NF = 1.5 dB TYP. @VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz NF = 1.7 dB TYP. @VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz ? Large Absolute Maximum Collector Current IC = 100 mA ? A Mini Mold Package Adopted ? Built-in 2 Transistors (2 × 2SC5193) ? MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR(WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS) MINI MOLD |
| 描述与应用 |
特点 ?硅晶体管 ?低电压操作，低相位失真（单位：mm） ?低噪声 NF= 1.5 dB（典型值）。 @ VCE= 3 V，IC =7毫安，F =2吉赫 NF=1.7 dB（典型值）。 @ VCE= 1 V，IC =3毫安，F =2吉赫 ?大绝对最大集电极电流IC= 100 mA时 ?通过一个小型模具包装 ?内置2晶体管（2×2SC5193） ?微波低噪声放大器NPN硅外延晶体管迷你模具（带内置2个元素） |
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