UPA821TF R81 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
20V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
12V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
100mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
4500MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
70~140 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
|
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
200mW |
| Description & Applications |
Features ? LOW NOISE:NF = 1.2 dB TYP at f = 1 GHz, VCE = 3 V, lc = 7 mA ? HIGH GAIN:|S21E|2 = 9.0 dB TYP at f = 1 GHz, VCE = 3 V, lc = 7 mA ? SMALL PACKAGE STYLE:2 NE856 die in a 2 mm x 1.25 mm x 0.6 mm package ? NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR |
| 描述与应用 |
特点 ?低噪声：NF= 1.2 dB（典型值）在f=1 GHz的，VCE=3 V，LC=7毫安 ?高增益：S21E|2=9.0 dB（典型值）在f=1 GHz的，VCE=3 V，LC=7毫安 ?小包装风格：2 NE856在2毫米×1.25毫米×0.6毫米封装模具 ?NPN硅外延双晶体管 |
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