UPA831TF V24 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
20V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
12V/10V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
100mA/65mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
4500MHz/7000MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
100~145/70~150 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
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| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
200mW |
| Description & Applications |
Features ? NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR ? LOW NOISE: Q1:NF = 1.2 dB TYP at f = 1 GHz, VCE = 3 V, lc = 7 mA Q2:NF = 1.4 dB TYP at f = 1 GHz, VCE = 3 V, lc = 7 mA ? HIGH GAIN: Q1: |S21E|2 = 9.0 dB TYP at f = 1 GHz, VCE = 3 V,lc = 7 mA Q2: |S21E|2= 12.0 dB TYP at f = 1 GHz, VCE = 3 V,lc = 7 mA ? 6-PIN THIN-TYPE SMALL MINI MOLD PACKAGE ? 2 DIFFERENT BUILT-IN TRANSISTORS(Q1: NE856, Q2: NE681) |
| 描述与应用 |
特点 ?NPN硅外延双晶体管 ?低噪音： Q1：NF=1.2 dB（典型值）在f=1 GHz的，VCE=3 V，LC=7毫安 Q2：NF=1.4 dB（典型值），在f =1 GHz时，VCE=3 V，LC= 7毫安 ?高增益： Q1：S21E| 2=9.0 dB（典型值）在f=1 GHz的，VCE=3 V，LC=7毫安 Q2：S21E| 2=12.0 dB（典型值）在f=1 GHz的，VCE=3 V，LC=7毫安 ?6引脚薄型型小型微型模具包装 ?2个不同的内置晶体管（Q1：NE856，Q2：NE681） |
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