UPA836TC V47 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
9V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
6V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
30mA/100mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
12000MHz/9000MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
75~150/80~160 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
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| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
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| Description & Applications |
Features ? NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR ? SMALL PACKAGE OUTLINE:1.5 mm x 1.1 mm, 33% smaller than conventional SOT-363 package ? LOW HEIGHT PROFILE:Just 0.55 mm high ? FLAT LEAD STYLE:Reduced lead inductance improves electrical performance ? TWO DIFFERENT DIE TYPES: Q1 - Ideal oscillator transistor Q2 - Ideal buffer amplifier transistor |
| 描述与应用 |
特点 ?NPN硅外延双晶体管 ?小型封装：1.5毫米×1.1毫米，33％小于传统 SOT-363封装 ?低高度简介：仅0.55毫米高 ?扁平引脚STYLE：减少引线电感提高电性能 ?两个不同的模具类型： Q1 - 非常振荡器晶体管 Q2 - 非常缓冲放大器晶体管 |
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