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UPA854TD
 型号：  UPA854TD
 标记/丝印/代码/打字：  VL
 厂家：  NEC
 封装：  SOT-763
 批号：  05+
 库存数量：  4400
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  复合三极管Complex Bipolar Transistor
    NPN+NPN
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UPA854TD VL 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 9V/15V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 6V/5.5V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 30mA/100mA
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 12000MHz/5500MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 75~150/100~145
管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage
耗散功率Pc Power Dissipation 210mW
Description & Applications Features ? NPN SILICON RF TRANSISTOR (WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS) IN A 6-PIN LEAD-LESS MINI MOLD ? Low voltage operation ? 2 different built-in transistors (2SC5435, 2SC5745) Q1: High gain transistor fT = 12.0 GHz TYP., ?S21e?2= 8.5 dB TYP. @ VCE = 3 V, IC = 10 mA, f = 2 GHz Q2: Low phase distortion transistor suited for OSC operation fT = 5.5 GHz TYP., ?S21e?2= 4.5 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 10 mA, f = 2 GHz ? 6-pin lead-less mini mold package
描述与应用 ?NPN硅RF晶体管（带2个不同的元素）于一个6针引线迷你模具 ?低电压工作 ?2个不同的内置晶体管（2SC5435，2SC5745） Q1：高增益晶体管的fT=12.0 GHz的TYP。?S21E?2=8.5 dB（典型值）。 @ VCE= 3 V，IC=10 mA时，F =2吉赫 Q2：低相位失真晶体管适合OSC操作 FT =5.5 GHz的TYP。?S21E?2= 4.5 dB典型值。 @ VCE= 1 V，IC=10 mA时，F =2吉赫 ?6针引线小型模具包
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