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UPA891TD
 型号：  UPA891TD
 标记/丝印/代码/打字：  H
 厂家：  NEC
 封装：  SOT-763
 批号：  05+
 库存数量：  4300
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  复合三极管Complex Bipolar Transistor
    NPN+NPN
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UPA891TD H 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 9V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 5.5V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 100mA
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 6500MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 120
管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage
耗散功率Pc Power Dissipation 210mW
Description & Applications Features ? NEC's NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR ? LOW VOLTAGE, LOW CURRENT OPERATION ? SMALL PACKAGE OUTLINE:1.2 mm x 0.8 mm ? LOW HEIGHT PROFILE:Just 0.50 mm high ? TWO LOW NOISE OSCILLATOR TRANSISTORS:NE851 ? IDEAL FOR 1-3 GHz OSCILLATORS
描述与应用 特点 ?NEC的双晶体管NPN硅RF ?低电压，低电流操作 ?小型封装：1.2毫米x0.8毫米 ?外形高度低：仅0.50毫米高 ?两个低噪声振荡器晶体管：NE851 ?适用于1-3 GHz的振荡器
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