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VEC2901
 型号：  VEC2901
 标记/丝印/代码/打字：  AA
 厂家：  SANYO
 封装：  SOT-183/VEC8
 批号：  05+NOPB
 库存数量：  2600
 所属分类：  场效应管FET
  复合场效应管Complex FET
    FET+BJT
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VEC2901 AA 的参数
FET类型 Type MOSFET N-Channel
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 10V
最大漏极电流Id Drain Current 150mA/1.5A
源漏极导通电阻Rds(on) Drain-Source On-State Resistance 3700m?@ VGS = 4V, ID = 80mA
跨导 Forward Transfer Admittance 220ms@VDS=10V,Id=80mA
IDSS(Vgs=0V)
开启电压Vgs（th）/关断电压Vgs（off） Gate-Source Threshold/Cut-off Voltage 0.4~1.3V
BJT 类型 Type NPN
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 100V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 5A
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 330MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 250~400
耗散功率Pd Power Dissipation 250mW/0.25W
Description & Applications TR : NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor FET : N-Channel Silicon MOSFET Switching, Flash Applications Features ? Composite type with an NPN transistor and N-ch MOS-FET contained in one package facilitating high-density mounting. ? Ultrasmall package permitting applied sets to be made small and slim.
描述与应用 TR：NPN平面外延硅晶体管 场效应管：N-沟道硅MOSFET 开关，Flash应用程序 特点 ?复合型NPN晶体管和N沟道MOS场效应管包含在一个包装促进高密度安装。 ?超小封装允许应用集小型和超薄。
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