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XN09D6100L
 型号:  XN09D6100L
 标记/丝印/代码/打字:  RA
 厂家:  Panasonic
 封装:  SOT-163/SC-74
 批号:  05NOPB1RM+1200
 库存数量:  4200
 所属分类:  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  复合三极管Complex Bipolar Transistor
    三极管+二极管BJT AND DIODE
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XN09D6100L RA 的参数

三极管BJT类型 TYPE PNP
三极管BJT集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) -15V
三极管BJT集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) -15V
三极管BJT集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) -1.5A
三极管BJT截止频率fT Transtion Frequency(fT) 270MHz
三极管BJT直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) -100mA
三极管BJT管压降VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage -90~-200mV
二极管DIODE类型 TYPE 肖特基-单管 SBD-Single
二极管DIODE反向电压VR Reverse Voltage 20V
二极管DIODE正向整流电流Io Rectified Current 700mA
二极管DIODE正向电压降VF Forward Voltage(Vf) 450mV
耗散功率Pc Power Dissipation 600mW
Description & Applications Features ? Silicon PNP epitaxial planar type (Tr) Silicon epitaxial planar type (SBD) ? Two elements incorporated into one package (Tr + SBD) ? Reduction of the mounting area and assembly cost by one half ? Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Applications ? For DC-DC converter
描述与应用 特点 ?PNP硅外延平面型(TR)硅外延平面型(SBD) ?两个要素纳入一个封装(TR + SBD) ?减少安装面积和装配成本的一半 ?低集电极 - 发射极饱和电压VCE(sat) 应用 ?对于DC-DC转换器
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