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XN1C301
 型号：  XN1C301
 标记/丝印/代码/打字：  4R
 厂家：  Panasonic
 封装：  SOT-153/SC-74A
 批号：  05+
 库存数量：  2500
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  复合三极管Complex Bipolar Transistor
    PNP+NPN
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XN1C301 4R 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) -60V/60V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) -50V/50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) -100mA/100mA
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 80MHz/150MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 160~460
管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage -300mA/100mA
耗散功率Pc Power Dissipation 300mW
Description & Applications Features ? Silicon PNP epitaxial planer transistor (Tr1) Silicon NPN epitaxial planer transistor (Tr2) ? Two elements incorporated into one package.(Tr1 base is connected to Tr2 emitter.) ? Reduction of the mounting area and assembly cost by one half. Applications ? For general amplification
描述与应用 特点 ?硅外延刨床PNP晶体管（TR1）硅NPN外延刨床晶体管的（TR2） ?两个要素纳入一包装（TR1基地TR2发射器连接到）。 ?减少安装面积和汇编一半的费用。 应用 ?对于一般的放大
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