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XP4878
 型号：  XP4878
 标记/丝印/代码/打字：  7Y
 厂家：  Panasonic
 封装：  SOT-363/SC70-6
 批号：  03+NOPB
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  复合场效应管Complex FET
    MOSFET 双N沟道MOSFET Dual N-Channel
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XP4878 7Y 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 50V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 7V
最大漏极电流Id Drain Current 100mA/0.1A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 12?@ VGS = 4.0V, ID = 10mA
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.9~1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 150mW/0.15W
Description & Applications Silicon N-channel MOSFET For switching ■ Features ? Allowing 2.5 V drive ? Incorporating a built-in gate protection-diode ? S-Mini type 6-pin package, reduction of the mounting area and assembly cost by one half
描述与应用 硅N沟道MOSFET 对于开关 ■特点 ?允许2.5 V驱动器 ?集成了内置栅极保护二极管 ?S-迷你型6引脚封装，安装面积减少 汇编一半的费用
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