SMBTA42 S1D 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
300V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
300V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
500mA/0.5A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
50MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
40 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
500mV/0.5V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
360mW/0.36W |
| Description & Applications |
Features ? NPN Silicon Transistor for High Voltages ? High breakdown voltage ? Low collector-emitter saturation voltage ? Complementary types: SMBTA92 (PNP) |
| 描述与应用 |
特点 ?NPN硅晶体管高电压 ?高击穿电压 ?低集电极 - 发射极饱和电压 ?互补类型：SMBTA92（PNP） |
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