PBSS5350T ZD 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-50V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
?50V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-2A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
100MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
200 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
-390mV/-0.39V |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
300mW/0.3W |
| Description & Applications |
30 V low VCE(sat) PNP transistor FEATURES ? Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) and corresponding low RCEsat ? High collector current capability ? High collector current gain ? Improved efficiency due to reduced heat generation. ? NPN complement: PBSS4350T. APPLICATIONS ? Power management applications ? Low and medium power DC/DC convertors ? Supply line switching ? Battery chargers ? Linear voltage regulation with low voltage drop-out |
| 描述与应用 |
30伏的低VCE（sat）的PNP晶体管 特点 ?低集电极 - 发射极饱和电压VCE（饱和）和相应的低RCEsat ?高集电极电流能力 ?高集电极电流增益 ?由于产生的热量减少，提高了效率。 ?NPN补充：PBSS4350T。 应用 ?电源管理应用 ?低功率和中功率DC/ DC转换器 ?供电线路开关 ?电池充电器 ?线性电压调节，低电压降 |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
