STC2411Y BAY 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
40V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
32V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
500mA/0.5A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
200MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
70~240 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
200mV/0.2V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
200mW/0.2W |
| Description & Applications |
Features ? PNP Silicon Transistor ? Large collector current : ICMax=-500mA ? Suitable for low-Voltage operation because of its low saturation voltage ? Complementary pair with STC2411 Description ? Medium power amplifier |
| 描述与应用 |
特点 ?PNP硅晶体管集电极大电流：ICMAX=500毫安 ?适用于低电压操作，因为它的低饱和电压 ?互补配对STC2411 描述 ?中等功率放大器 |
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