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NTA4153NT1G
 型号:  NTA4153NT1G
 标记/丝印/代码/打字:  TR
 厂家:  ON
 封装:  SOT-523/SC-75
 批号:  06+ROHS
 库存数量:  844
 所属分类:  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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NTA4153NT1G TR 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 6V
最大漏极电流Id Drain Current 915mA/0.915A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.23Ω/Ohm @600mA,4.5V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage 0.45-1.1V
耗散功率Pd Power Dissipation 300mW/0.3W
Description & Applications Small Signal MOSFET 20 V, 915 mA, Single N?Channel with ESD Protection, SC?75 and SC?89 Load/Power Switches ? Power Supply Converter Circuits ? Battery Management ? Portables like Cell Phones, PDAs, Digital Cameras, Pagers, etc. Features ? Low RDS(on) Improving System Efficiency ? Low Threshold Voltage, 1.5 V Rated ? ESD Protected Gate ? Pb?Free Packages are Available
描述与应用 小信号MOSFET 20 V,915 mA时,单N沟道 具有ESD保护,SC-75和SC-89 负载/功率开关 ?电源转换器电路 ?电池管理 ?便携设备,如手机,掌上电脑,数码相机,寻呼机等 ?低的RDS(on) 提高系统效率 ?低阈值电压,1.5 V额定 ?ESD保护门 ?无铅包可用
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