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MCH3318 JT 的参数 |
最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-12V |
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
8V |
最大漏极电流Id
Drain Current |
-2A |
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
0.16 @-500mA,-2.5V |
开启电压Vgs(th)
Gate-Source Threshold Voltage |
-0.3--1.0V |
耗散功率Pd
Power Dissipation |
900mW/0.9W |
Description & Applications |
Features ? Low ON-resistance. ? Ultrahigh-speed switching. ? 1.8V drive. |
描述与应用 |
?低导通电阻。 ?超高速开关。 ?1.8V驱动 |
技术文档PDF下载 |
在线阅读 |
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相关型号列表 |
型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
MCH3317 |
JS |
SANYO |
05+ |
SOD-323 |
3800 |
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查看 |
MCH3310 |
JK |
SANYO |
05+16KROHS |
SOT-323/SC70/MCP |
17100 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
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MCH3312 |
JM |
SANYO |
05+ |
SOT-323/SC70/MCP |
930 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
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MCH3319 |
JU |
SANYO |
08+NOPB2800 |
SOT-323/SC70/MCP |
5300 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
MCH3318 |
JT |
SANYO |
05+ |
SOT-323/SC70/MCP |
3000 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
MCH3312 |
JM |
SANYO |
06NOPB |
SOT-323/SC70/MCP |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
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