KTC812T-B MB 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
50V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
20V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
300mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
30MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
350~1200 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
42mV |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
900mW |
| Description & Applications |
Features ?EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR ?High Emitter-Base Voltage : VEBO=25V(Min.) ?High Reverse hFE: Reverse hFE=150(Typ.) (VCE=-2V, IC=-4mA) ?Low on Resistance : RON=1 (Typ.), (IB=5mA) ?FOR MUTING AND SWITCHING APPLICATION |
| 描述与应用 |
特点 ?外延平面PNP晶体管 ?高发射极 - 基极电压VEBO= 25V（最小值） ?高反向HFE：反向HFE=150（典型值）（VCE=2V，IC=4毫安） ?低导通电阻RON=1（典型值），（IB=5毫安） ?静音和开关应用 |
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