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KTC2875-A
 型号:  KTC2875-A
 标记/丝印/代码/打字:  MA
 厂家:  KEC
 封装:  SOT-23/SC-59
 批号:  05+NOPB
 库存数量:  0
 所属分类:  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  NPN
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KTC2875-A MA 的参数

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 20V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 300mA/0.3A
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 30MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 200~700
管压降VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage 300mV/0.3V
耗散功率Pc Power Dissipation 150mW/0.15W
Description & Applications FOR MUTING AND SWITCHING APPLICATION. FEATURES ·High Emitter-Base Voltage : VEBO=25V(Min.) ·High Reverse hFE : Reverse hFE=150(Typ.) (VCE=-2V, IC=-2mA) ·Low on Resistance : RON=1?(Typ.), (IB=7mA)
描述与应用 静音和开关应用。 特点 ·高发射极 - 基极电压VEBO= 25V(最小值) ·高反向HFE 反向HFE=150(典型值)(VCE=2V,IC=-2MA) ·低导通电阻RON=1Ω(典型值),(IB=7mA)
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