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BC857BV
 型号：  BC857BV
 标记/丝印/代码/打字：  3F
 厂家：  NXP/PHILIPS
 封装：  SOT-563/SOT666
 批号：  07NOPB
 库存数量：  0
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  复合三极管Complex Bipolar Transistor
    PNP+PNP
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BC857BV 3F 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) -50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) -45V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) -100mA
Q1基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 100MHz
Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) 200~450
Q1电阻比(R1/R2) Q1 Resistance Ratio -400mV
Q2基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 200mW
Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) Features ? PNP general purpose double transistor ? 300 mW total power dissipation ? Very small 1.6 mm × 1.2 mm × 0.55 mm ultra thin package ? Excellent coplanarity due to straight leads ? Improved thermal behaviour due to flat leads ? Reduces number of components as replacement of two SC-75/SC-89 packaged BISS transistors ? Reduces required board space ? Reduces pick and place costs. APPLICATIONS ? General purpose switching and amplification.
Q2电阻比(R1/R2) Q2 Resistance Ratio 特点 ?PNP通用双晶体管 ?300 mW的总功耗 ?非常小1.6毫米×1.2毫米×0.55毫米的超薄封装 ?优秀的共面性，由于直引线 ?改进的热行为由于平坦的线索， ?减少组件的数量，作为更换两架SC-75/SC-89包装BISS晶体管 ?减少所需的电路板空间 ?减少取放成本。 应用 ?通用开关和放大。
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)
截止频率fT Transtion Frequency(fT)
耗散功率Pc Power Dissipation
Description & Applications
描述与应用
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