2N3904S ZC 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
60V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
40V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
200mA/0.2A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
300MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
100~300 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
300mV/0.3V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
350mW/0.35W |
| Description & Applications |
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor General purpose applications Switching applications Features Low leakage current Excellent DC current gain linearity. Low saturation voltage Low collector output capacitance. Complementary to 2N3906S |
| 描述与应用 |
NPN平面外延硅晶体管 一般用途 开关应用 特点 低漏电流 优秀DC电流增益线性度。 低饱和电压 低集电极输出电容。 互补型2N3906S |
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