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IRLML5203TR
 型号：  IRLML5203TR
 标记/丝印/代码/打字：  hc
 厂家：  IR
 封装：  SOT-23/SC-59
 批号：  05
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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IRLML5203TR hc 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage -30V
最大漏极电流Id Drain Current -3A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 0.098Ω @-3A,-10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -1.0--2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 1.25W
Description & Applications Ultra Low On-Resistance P-Channel MOSFET Surface Mount lAvailable in Tape & Reel Low Gate Charge
描述与应用 超低导通电阻 P沟道MOSFET 表面贴装 在磁带和卷轴lAvailable 低栅极电荷
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