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SI1021R-T1-GE3
 型号：  SI1021R-T1-GE3
 标记/丝印/代码/打字：  FWA
 厂家：  VISHAY
 封装：  SOT-523/SC-75A/SC-89
 批号：  10nopb
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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SI1021R-T1-GE3 FWA 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current -190mA/-0.19A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 4Ω @-500mA,-10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -1--3V
耗散功率Pd Power Dissipation 250mW/0.25W
Description & Applications FEATURES ? Halogen-free Option Available ? TrenchFET Power MOSFETs ? High-Side Switching ? Low On-Resistance: 4 Ω ? Low Threshold: - 2 V (typ.) ? Fast Switching Speed: 20 ns (typ.) ? Low Input Capacitance: 20 pF (typ.) ? Miniature Package ? ESD Protected: 2000 V
描述与应用 ?无卤股权 ?的TrenchFET 功率MOSFET ?高边开关 ?低导通电阻：4Ω ?低阈值： - 2 V（典型值） ?开关速度快：20 ns（典型值） ?低输入电容20 PF（典型值） ?微型包装 ?ESD保护：2000 V
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