BFR193TW-GS08 WRC 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
20V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
12V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
80mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
8Ghz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
50~150 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
500mV/0.5V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
420mW/0.42W |
| Description & Applications |
Silicon NPN Planar RF Transistor Applications For low–noise, high–gain applications such as power amplifiers up to 2GHz and for linear broadband amplifiers. Features Low noise figure High transition frequency fT = 8 GHz Excellent large-signal behaviour |
| 描述与应用 |
硅NPN平面RF晶体管 应用 对于低噪声，高增益应用，如电源 放大器高达2GHz和线性宽带 放大器。 特点 低噪声系数？ 过渡频率fT=8 GHz的 优秀的大信号行为 |
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